mos万芯半导体服务至上「炫吉」

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

电动车的仪表盘能够显示电量、速率、里程数、显示灯情况等信息内容，一旦仪表盘发现异常或常见故障，轻则会危害客户的交通出行，重则也有有可能致使安全事故的产生，因此 电子电路设计技术工程师在设计方案电动车仪表盘的情况下，必须 综合考虑到仪表盘电源电路所采用的MOS管，MOS管的产品特性和质量，会直接影响到仪表盘的表明精度和质量。

mos管，是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一，不管是在板级电路的应用上，还是IC的设计里，都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的，都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下，这两个区都是相同的，就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。