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余姚3080mos-炫吉电子-3080mos价格

询盘留言|投诉|申领|删除 产品编号:587689098                    更新时间:2024-11-21
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公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

做电源电路,或是做推动领域的电源电路,免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型,也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用,自然便是用它的开关功效。

不管N型或是P型MOS管,其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点,WP3080mos,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用,因而在开关运用中,MOS管的开关速率应当比三极管快。

公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,3080mos价格,为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,余姚3080mos,RDS(ON)也是重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的简单的定义是结到管壳的热阻抗。

发热情况有:

1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,3080mos公司,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

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