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电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留出足够的余量，mos生产厂家，才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。

三极管是一种流控型器件，MOS管是压控型器件，两者之间有相似之处，在选择时需要考虑耐压、电流等参数。

1、根据耐压选型

三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不得超过规定值，否则三极管将永i久损坏。

在使用过程中，MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压，工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说，MOS管的耐压值远高于三极管。

2、过电流能力

三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时，流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件将会被烧坏。

考虑到工作稳定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作温度

商业级芯片：一般范围在0到+70℃；

工业级芯片:一般范围在-40到+85℃；

军i工级芯片：一般范围在-55℃到+150℃；

在进行MOS管选型时，要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

4、根据开关频率选择

三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中，必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。

5、其他选型条件

例如，mos万芯半导体，MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，mos公司，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，mos，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的简单的定义是结到管壳的热阻抗。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

用电源IC立即驱动MOS管

一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定：

（1）开关管启用瞬间，驱动电路应能输出非常大的电流，使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值，确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。

（2）电源开关通断期内，驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。

（3）关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，确保开关管能迅速关闭。

（4）驱动电路构造简易靠谱、耗损小。

（5）依据具体情况开展防护。

在控制模块电源中，常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大，电源IC內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。