mos万芯半导体-炫吉电子(在线咨询)-宁海mos

公司成立于2013年7月，mos厂家，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

  就目前的半导体行业发展来说，宁海mos，MOS管是作为半导体行业里基础的器件之一，无论是在集成电路设计里，mos万芯半导体，还是在板级电路的应用上都是十分广泛的。目前尤其是在大功率半导体行业里，各种结构不同种类的MOS管更是发挥着不可i替代的作用。

场效应管与三极管的区别：

1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，在性能方面，mos生产厂家，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能；

2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的；

3.场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；

4.场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；

5.场效应管输入阻抗大；三极管输入阻抗小；

6.场效应管的频率特性不如三极管；

7.场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；

8.信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。