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公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

mos管小电流发热的缘故

1、电路原理的难题，便是让MOS管工作中在线形的运行状态，而不是在开关情况。这也是造成 MOS管发热的一个缘故。假如N-MOS做开关，G级工作电压要比开关电源高几V，才可以彻i底通断，P-MOS则反过来。沒有彻i底开启而损耗过大导致输出功率耗费，等效电路直流电特性阻抗较为大，损耗扩大，因此U*I也扩大，耗损就代表着发热。这也是设计方案控制电路的避讳的不正确。

2、頻率太高，主要是有时候太过追求完i美容积，造成 頻率提升，MOS管上的消耗扩大了，因此发热也增加了。

3、沒有做到充足的排热设计方案，电流太高，MOS管允差的电流值，一般必须保持良好的排热才可以做到。因此ID低于较大电流，也很有可能发热比较严重，万芯mos管价格，必须充足的輔助散热器。

4、MOS管的型号选择不正确，对输出功率分辨不正确，MOS管内电阻沒有考虑到，造成开关特性阻抗扩大。

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，万芯mos管厂家，MOS管的开关速度应该比三极管快。

MOS管FET栅源保护：

1）避免 栅极 di/dt 过高

因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，万芯mos管生产厂家，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。

2）避免 栅源极间过压

因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。

3）安全防护漏源极中间过压

尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，南通万芯mos管，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。