mos公司-启东mos-炫吉

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

0世纪以来，集成电路产业发展迅速，MOS器件是集成电路的重要元器件，需求量持续增大。MOS，是MOSFET的缩写，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点，是重要的功率分立器件之一，mos价格，在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段，围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。

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现阶段在行业应用层面，排名头一个的是消费类电子器件适配器商品。而按照对MOS管的主要用途掌握，需求MOS管排名在第二的是计算机主板、NB、计算机电源适配器、LCD显示器等商品。在伴随着基本国情的发展趋势，计算机主板、计算机电源适配器、LCD显示器对MOS管的要求有要超出消费类电子器件适配器的状况了。

MOS管FET栅源保护：

1）避免 栅极 di/dt 过高

因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。

2）避免 栅源极间过压

因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，启东mos，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。

3）安全防护漏源极中间过压

尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。