企业等级: | 商盟会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 江苏 苏州 |
联系卖家: | 陈鹤 先生 |
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公司官网: | szxjdz123.tz1288.com |
公司地址: | 苏州市相城区渭塘镇渭泾西路10-7号 |
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,WPmos管,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管在开关电路里面起到的作用就是控制电路的通断和信号的转换。MOS管大致可分为两大类:N沟道和P沟道。
在N沟道MOS管电路里,BEEP引脚是高电平就可以导通使得蜂鸣器响应,低电平则是关闭蜂鸣器。P沟道MOS管来控制GPS模块电源的通断,GPS_PWR引脚是低电平的时候导通,GPS模块则正常地供电,高电平时使得GPS模块断电。
P沟道MOS管在N型硅衬底上P+区有两个:漏极和源极。这两极彼此之间并不通导,当在接地时源极上加有足够的正电压,栅极下面的N型硅表面就会浮现出P型的反型层,WPmos管生产厂家,变成连接漏极和源极的沟道。改变栅极的电压可以使沟道里的空穴密度发生变化,因此来改变沟道电阻。这种就被称为P沟道增强型场效应晶体管。
NMOS的特性,Vgs只要大于一定的数值便会导通,适用在源极接地的低端驱动的情况下,前提是栅极的电压达到4V或着10V就行。
PMOS的特性,与NMOS相反,在Vgs只要小于一定的数值便会导通,WPmos管报价,适用于源极接VCC时高i端驱动的情况下。但是,由于替换种类少,导通电阻大,价格贵等原因,尽管PMOS可以非常方便地用作在高i端驱动的情况下,所以在高i端驱动中,一般都还是使用NMOS。
总的来说,MOS管有着很高的输入阻抗,在电路中方便直接耦合,比较容易制作成为规模大的集成电路 。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
用电源IC立即驱动MOS管
一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定:
(1)开关管启用瞬间,驱动电路应能输出非常大的电流,使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值,确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。
(2)电源开关通断期内,驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持,且有效通导。
(3)关闭一瞬间驱动电路,WPmos管价格,能供应一个尽量低阻抗的通道,供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流,确保开关管能迅速关闭。
(4)驱动电路构造简易靠谱、耗损小。
(5)依据具体情况开展防护。
在控制模块电源中,常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中,应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大,电源IC內部的驱动能力又不够时,必须在驱动电路上提高驱动能力,常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。
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MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的简单的定义是结到管壳的热阻抗。
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